Автор(ы) | Киреев В.Ю |
---|---|
Издатель | Техносфера |
Год | 2006 |
ISBN | 5-94836-039-3 |
EAN | |
Обложка | переплет |
Формат | |
Вес (г) | |
Страниц | 192 |
Просмотров | 24 |
Стандарт | 16 |
Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок.
Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.
Для инженеров-технологов и научных работников
Возможность скачать/купить Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы.txt у Техносфера
Хотите эту книгу/словарь/учебник в переплёте или в формате fb2 epub mobi doc docx djvu txt pdf? Нажимайте ниже ссылки или кнопки [В магазин] или [Читать].